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    Titel :

    High yield 1.6 /spl mu/m region compressively strained MQW-BH laser diodes by all MOVPE Drocess


    Beteiligte:
    Akiyama, M. (Autor:in) / Sekiguchi, T. (Autor:in) / Ravikumar, K.G. (Autor:in) / Suzaki, S. (Autor:in) / Yamauchi, R. (Autor:in) / Inada, K. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1995-01-01


    Format / Umfang :

    180775 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Compressively Strained GaInP/AlGaInP Metal Clad Structure for 650nm Laser Diode

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995


    780nm-emitting Al-free Active Region Diode Lasers with Compressively-Strained InGaAsP Quantum Wells

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997



    Diode Spectroscopy of Isotope Carbon Dioxide with InGaAs/InGaAsP Compressively Strained Quantum-Well Laser

    Ubukata, A. / Dong, J. / Suzuki, K. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001