The uniqueness of the nitrides for detectors lies in their wide bandgaps that can be tailored by varying the composition of the quaternary alloy AlInGaN. We report on the performance of GaN PIN photodiodes grown by MOVPE with various intrinsic region thicknesses.


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    Titel :

    Visible-blind GaN PIN photodiodes


    Beteiligte:
    Smith, G.M. (Autor:in) / Boutros, K.S. (Autor:in) / Phanse, V.M. (Autor:in) / Chriss, M.F. (Autor:in) / Tamweber, F.D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    157335 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Visible-Blind GaN PIN Photodiodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998


    Photodiodes: Gallium nitride opens the way to visible-blind UV detectors

    Shur, M. S. / Khan, M. A. | British Library Online Contents | 1999




    Simulation for spectral response of solar-blind AlGaN based p-i-n photodiodes

    Xue, Shiwei / Xu, Jintong / Li, Xiangyang | SPIE | 2015