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    Titel :

    P-type Doping Of Wide-bandgap IIU-Vi Semiconductors: Reference To ZnSe:N


    Beteiligte:
    Park, R.M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    132488 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    P-Type Doping of Wide-Bandgap II-VI Semiconductors: Reference to ZnSe:N

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993




    Gaseous Source Epitaxy Technologies for Wide Bandgap II-VI Semiconductors

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994