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    Titel :

    Gaseous Source Epitaxy Technologies for Wide Bandgap II-VI Semiconductors



    Kongress:

    Summer topical meeting, Optoelectronic materials growth and processing ; 1994 ; Lake Tahoe; NV



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1994


    Format / Umfang :

    5 pages


    Anmerkungen:

    Contains 4 conferences published jointly. IEEE Cat no 94TH0606-4; Shelving title: LEOS 1994



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch







    P-Type Doping of Wide-Bandgap II-VI Semiconductors: Reference to ZnSe:N

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993