We developed a semi-analytical model to analyze the induced change in optical parameters of InGaAsP/InGaAsP MQWs by phosphorus-implanted quantum well intermixing (QWI). The results match well with the experimental results and can be applied for realizing photonic integrated circuits.


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    Titel :

    Quantum-well-intermixing induced shift in material bandgap and refractive index using low-energy ion implantation


    Beteiligte:
    Yen-Ting Pan, (Autor:in) / San-Liang Lee, (Autor:in) / Rong Xuan, (Autor:in) / Yu-Chen Yu, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    80459 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch