The optically pumped lasing action at 414 nm was obtained from a GaN-based VCSEL with an InGaN multiple quantum wells and two dielectric DBRs fabricated by laser lift-off. The threshold pumping energy is 270 nJ at room temperature conditions.


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    Titel :

    Optically pumped GaN-based vertical cavity surface emitting laser at room temperature


    Beteiligte:
    Jung-Tang Chu, (Autor:in) / Liang, W.D. (Autor:in) / Kao, C.C. (Autor:in) / Huang, H.W. (Autor:in) / Lu, T.C. (Autor:in) / Kuo, H.C. (Autor:in) / Wang, S.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    180144 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch