A low threshold current (11.2 mA@25/spl deg/C) with high characteristic temperature (T/sub 0/=100 K) has been obtained in 1.3 /spl mu/m InAsP/AlGaInAs MQW lasers by using ACIS (Al-oxide confined inner stripe) lasers. Less temperature sensitive quantum efficiency (-0.01 dB/K) was observed.


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    Titel :

    Low threshold and high temperature characteristic of 1.3 /spl mu/m InAsP/AlGaInAs MQW ACIS lasers


    Beteiligte:
    Iwai, N. (Autor:in) / Shimizu, H. (Autor:in) / Yamanaka, N. (Autor:in) / Kumada, K. (Autor:in) / Mukaihara, T. (Autor:in) / Kasukawa, A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1999


    Format / Umfang :

    151731 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    High-temperature operation of AlGaInAs/InP lasers

    Zah, C. E. / Bhat, R. / Lee, T. P. | British Library Online Contents | 1996



    Temperature performance of AlGaInAs semiconductor lasers

    O'Brien, D. / McInerney, J.G. / White, J.K. et al. | IEEE | 2001