Under optical pumped by mid-infrared lasers, silicon crystals doped by group-V donor centers reveal stimulated emission in terahertz range. Different features of the population inversion mechanisms in the silicon lasers allow covering the frequency range from 1 to 7 THz with a few tenths of mW pulse peak powers at low lattice temperatures.


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    Titel :

    Terahertz Donor and Raman Silicon Lasers


    Beteiligte:
    Pavlov, S. G. (Autor:in) / Hubers, H.-W. (Autor:in) / Hovenier, J. N. (Autor:in) / Klaassen, T. O. (Autor:in) / Carder, D. A. (Autor:in) / Phillips, P. J. (Autor:in) / Redlich, B. (Autor:in) / Riemann, H. (Autor:in) / Abrosimov, N. V. (Autor:in) / Notzel, N. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2006-09-01


    Format / Umfang :

    1103143 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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