An all-optical gate switch utilizing intersubband transition in GaN/AlN quantum wells was fabricated by MBE re-growth on an MOCVD-grown GaN. The extinction ratio of 10 dB was achieved with the gate width of 240 fs.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Sub-picosecond all-optical switch with extinction ratio of 10 dB utilizing GaN intersubband transition


    Beteiligte:
    Iizuka, N. (Autor:in) / Kaneko, K. (Autor:in) / Suzuki, N. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    451315 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch





    High extinction-ratio optical switch and bias control

    Kirkendall, C. K. / Davis, A. R. / Dandridge, A. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997


    Ultrafast all optical modulation based on intersubband transition in semiconductor quantum wells

    Asano, T. / Yoshizawa, S. / Noda, S. et al. | British Library Online Contents | 2001