OMVPE grown GaInNAs quantum well lasers with low threshold current (density) of 14.5mA (330A/cm/sup 2/) at 1.24 /spl mu/m, and high power operation (>60mW) at 1.30 /spl mu/m have been achieved.


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    Titel :

    OMVPE grown 1.3 /spl mu/m GaInNAs quantum well lasers


    Beteiligte:
    Katsuyama, T. (Autor:in) / Yamada, T. (Autor:in) / Iguchi, Y. (Autor:in) / Takagishi, S. (Autor:in) / Murata, M. (Autor:in) / Hashimoto, J. (Autor:in) / Ishida, A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    109477 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    OMVPE Grown 1.3mum GaInNAs Quantum Well Lasers

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002


    GaInNAs Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    GaInNAs lasers

    Kondow, M. / Kitatani, T. / Larson, M.C. et al. | IEEE | 1997


    GaInNAs quantum well VCSELs

    Steinle, G. / Ramakrishnan, A. / Supper, D. et al. | IEEE | 2002


    Long wavelength GaInNAs(Sb) lasers grown by MBE

    Wonill Ha, / Gambin, V. / Bank, S. et al. | IEEE | 2002