Summary form only given. We realized 1.3 /spl mu/m-wide mesa stripe GaInAsP/InP distributed reflector semiconductor lasers consisting of first-order vertical grating DFB and first-order deeply etched DBR, and obtained a threshold current of 3.6mA for the active region length of 21/spl mu/m.


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    Titel :

    Narrow stripe distributed reflector lasers with first-order vertical grating


    Beteiligte:
    Hyo-Chang Kim, (Autor:in) / Kanjo, H. (Autor:in) / Tamura, S. (Autor:in) / Arai, S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    130301 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Narrow Stripe Distributed Reflector Lasers with First-Order Vertical Grating

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002





    Tunable Narrow Linewidth Distributed Bragg Reflector Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998