We report separate absorption and multiplication 4H-SiC avalanche photodiodes. An external quantum efficiency of 83% (187 mA/W) at 278 nm corresponding to unity gain after reach-through was achieved. Gain higher than 1000 was demonstrated without edge breakdown.


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    Titel :

    Ultraviolet separate absorption and multiplication 4H-SiC avalanche photodiodes


    Beteiligte:
    Xiangyi Guo, (Autor:in) / Rowland, L.B. (Autor:in) / Dunne, G.T. (Autor:in) / Fronheiser, J.A. (Autor:in) / Sandvik, P.M. (Autor:in) / Beck, A.L. (Autor:in) / Campbell, J.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    330993 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Ultraviolet Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Avalanche Photodiodes

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005



    Resonant-Cavity InGaAs/InAlAs Separate Absorption, Charge and Multiplication Avalanche Photodiodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998