To achieve high density vertical cavity surface emitting (VCSEL) laser arrays, the material system and device structure must be optimized. Here we employ strain-balanced In/sub 0.27/Ga/sub 0.73/As quantum wells designed to emit at 1.06 /spl mu/m.


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    Titel :

    Uniform selectively oxidized 2-dimensional VCSEL arrays for VLSI photonics


    Beteiligte:
    Choquette, K.D. (Autor:in) / Hou, H.Q. (Autor:in) / Geib, K.M. (Autor:in) / Hammons, B.E. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    261011 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Uniform Selectively Oxidized 2-Dimensional VCSEL Arrays for VLSI Photonics

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    VCSEL Arrays

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Recent Advances of VCSEL Photonics (Invited Paper)

    Koyama, F. | British Library Online Contents | 2006


    Individually Addressed VCSEL Arrays

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    High density VCSEL arrays

    Gulden, K.H. / Eitel, S. / Hunziker, S. et al. | IEEE | 2002