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    Titel :

    Monolithic Integration Of InAlGaAs/InGaAs FEts With MQW Modulators Operating At 1.06 /spl mu/m On GaAs Substrates


    Beteiligte:
    Shih, D.W. (Autor:in) / Fan, C. (Autor:in) / Hansen, M.W. (Autor:in) / Wieder, H.H. (Autor:in) / Esener, S.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1994


    Format / Umfang :

    180530 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Monolithic Integration of InAlGaAs/InGaAs FETs and MQW Modulators Operating at 1.06m on GaAs Substrates

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society / IEEE; Electron Devices Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Monolithic Integration of InGaAs-GaAs MQW DBR Lasers with External Cavity Electroabsorption Modulators

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997



    InAlGaAs/GaAs Strained-Layer Superluminescent Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    InAlGaAs/GaAs strained-layer superluminescent diodes

    Murison, R. / Moore, A. / Henderson, R. et al. | IEEE | 1993