In this article, we demonstrate the ability to create heterojunctions of p-type Li/sub 0.15/Ni/sub 0.85/O (LNO) and n-type ZnO films deposited by pulsed laser deposition (PLD) on sapphire and MgO substrate, using Pt contacts on the LNO film, which represents a combination of transparent conducting oxides (TCOs) with simple crystal structures to fabricate transparent p-n junction. This looks to be a promising approach for realizing low-cost transparent junctions.


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    Titel :

    Fabrication of transparent p-n junction composed of heteroepitaxially grown p-Li/sub 0.15/Ni/sub 0.85/O and n-ZnO films for UV-detector applications


    Beteiligte:
    Zhuang, L. (Autor:in) / Wong, K.H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    192331 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch