We study the carrier-envelope phase sensitivity of the inversion in a two-band semiconductor and the influence of rapid dephasing of higher-lying states. The application of this effect for constructing a solid-state phase detector is investigated.


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    Titel :

    Semiconductor-based carrier-envelope phase detector


    Beteiligte:
    Jirauschek, C. (Autor:in) / Duan, L. (Autor:in) / Mucke, O.D. (Autor:in) / Kaertner, F.X. (Autor:in) / Hof, K.D. (Autor:in) / Trirschler, T. (Autor:in) / Wegener, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    174217 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Opto-electronic carrier-envelope-phase detection

    Jirauschek, C. / Chandalia, J. / Duan, L. et al. | IEEE | 2003




    Carrier-Envelope-Phase-Controlled Optical Poling

    Adachi, S. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Carrier-envelope-phase-controlled optical poling

    Adachi, S. / Kobayashi, T. | IEEE | 2005