We present room temperature photoluminescence studies of InGaAs single quantum wells grown on top of In/sub 0/spl rarr/x/Ga/sub 1/spl rarr/(1-x)/As graded buffers (0.05


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    Titel :

    Room temperature photoluminescence of MBE grown single quantum wells on InGaAs graded buffers


    Beteiligte:
    Choy, H.K.H. (Autor:in) / Fonstad, C.G. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    207858 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Piezoelectric Effect in InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown on (111)A GaAs Observed by Photoluminescence Spectroscopy

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    Influence of the Cap Layer Thickness on Photoluminescence Properties in Strained InGaAs/GaAs Single Quantum Wells

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    Time-Resolved Photoluminescence Study of 1.58 /spl mu/m InGaAs/InGaAsP Quantum Wells

    Molloy, C.H. / Somerford, D.J. / Blood, P. et al. | IEEE | 1998