1.3 /spl mu/m AlGalnAs-based multiple quantum well tunnel injection lasers have been fabricated for the first time for high speed and uncooled operation. By introducing the tunnel barrier, we have improved a frequency bandwidth and a damping rate, while the low frequency roll-off is increased by increasing a diffusion capacitance.


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    Titel :

    Characteristics of 1.3 /spl mu/m AlGaInAs-based multiple quantum well tunnel injection lasers


    Beteiligte:
    Kim, J.-Y. (Autor:in) / Park, S. (Autor:in) / Hwang, S.R. (Autor:in) / Kang, J.K. (Autor:in) / Lee, E.H. (Autor:in) / Lee, J.K. (Autor:in) / Jang, D.H. (Autor:in) / Kim, T.I. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    100203 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch