We fabricate silicon-based photodiodes using a simple femtosecond-laser microstructuring technique. The detectors are ten times more sensitive than commercial silicon PlN photodiodes at visible wavelengths and can be used at wavelengths up to 1650 nm.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    High sensitivity silicon-based VIS/NIR photodetectors


    Beteiligte:
    Carey, J.E. (Autor:in) / Mazur, E. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    122422 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    BIB Photodetectors Based on Antimony Doped Silicon

    Sirmain, G. | British Library Online Contents | 1992


    Silicon photonics reinvents avalanche photodetectors

    Kang, Y. / Morse, M. | British Library Online Contents | 2009


    Design of Silicon Hetero-Interface Photodetectors

    Wu, W. / Hawkins, A. R. / Bowers, J. E. | British Library Online Contents | 1997


    InP-Based High-Speed Photodetectors

    Beling, A. / Campbell, J.C. | British Library Online Contents | 2009