An optically pumped room temperature GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) has been demonstrated in a microlens-integrated extended cavity structure. The VCSEL device lased at record-low threshold excitation intensity of 160 kW/cm/sup 2/.


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    Titel :

    GaN vertical-cavity surface-emitting laser with an extended cavity


    Beteiligte:
    Si-Hyun Park, (Autor:in) / Jaehoon Kim, (Autor:in) / Heonsu Jeon, (Autor:in) / Tan Sakong, (Autor:in) / Sung-Nam Lee, (Autor:in) / Suhee Chae, (Autor:in) / Park, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    90231 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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