The study in lengthened photoluminescent lifetime of the silicon-implanted borosilicate glass from 1.7 ns to 2.8 ns after low-temperature annealing reveals that the decrease in NBOHC defect density with activation energy of 2.63 eV is up to one order of magnitude.


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    Titel :

    Continuous-wave and time-resolved photoluminescence analysis of defect density evolution in silicon implanted borosilicate glass


    Beteiligte:
    Chun-Jung Lin, (Autor:in) / Gong-Ru Lin, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    24596 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Continuous-wave and time-resolved photoluminescence analysis of defect density evolution in silicon implanted borosilicate glass

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