Surface-illuminated vertical p-i-n Ge/SiGe multiple quantum wells photodiodes are demonstrated with a low dark current density of 200 mA/cm2 and 10 GHz optical bandwidth at -1 V which reaches over 30 GHz at -7 V.


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    Titel :

    30 GHz Ge/SiGe multiple quantum well photodiode


    Beteiligte:
    Chaisaku, P. (Autor:in) / Marris-Morini, D. (Autor:in) / Isella, G. (Autor:in) / Chrastina, D. (Autor:in) / Le Roux, X. (Autor:in) / Edmond, S. (Autor:in) / Cassan, E. (Autor:in) / Coudevylle, J.-R (Autor:in) / Vivien, L. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2011


    Format / Umfang :

    356290 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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