A technique to control the polarization of long-wavelength InGaAsP MQW VCSELs is presented. The active region, grown on [311] InP, is wafer-bonded to [100] GaAs-based mirrors.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Polarization control of 1.3 /spl mu/m-wavelength vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) fabricated by orientation-mismatched wafer bonding


    Beteiligte:
    Okuno, Y.L. (Autor:in) / Geske, J. (Autor:in) / Yi-Jen Chiu, (Autor:in) / DenBaars, S.P. (Autor:in) / Bowers, J.E. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    122817 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch