This photoelectric conversion device (112) comprises: a photoelectric conversion element (240) that converts light energy of incident light into electrical energy; a first wavelength conversion layer (234) that is disposed in contact with a light-receiving surface (242) of the photoelectric conversion element (240); and a second wavelength conversion layer (232) that is disposed on the side of a surface of the first wavelength conversion layer (234) that is on the opposite side from the surface that is in contact with the photoelectric conversion element (240). The first wavelength conversion layer (234) includes a first wavelength conversion material (274) that converts the wavelength of light in a first wavelength region. The second wavelength conversion layer (232) includes a second wavelength conversion material (272) that converts the wavelength of light in a second wavelength region. The upper limit value of the first wavelength region differs from the upper limit value of the second wavelength region, and/or the lower limit value of the first wavelength region differs from the lower limit value of the second wavelength region.

    Un dispositif de conversion photoélectrique (112) comprend : un élément de conversion photoélectrique (240) qui convertit l'énergie lumineuse de la lumière incidente en énergie électrique ; une première couche de conversion de longueur d'onde (234) qui est disposée en contact avec une surface de réception de lumière (242) de l'élément de conversion photoélectrique (240) ; et une seconde couche de conversion de longueur d'onde (232) qui est disposée sur le côté d'une surface de la première couche de conversion de longueur d'onde (234) qui est sur le côté opposé à la surface en contact avec l'élément de conversion photoélectrique (240). La première couche de conversion de longueur d'onde (234) comprend un premier matériau de conversion de longueur d'onde (274) qui convertit la longueur d'onde de la lumière dans une première région de longueur d'onde. La seconde couche de conversion de longueur d'onde (232) comprend un second matériau de conversion de longueur d'onde (272) qui convertit la longueur d'onde de la lumière dans une seconde région de longueur d'onde. La valeur limite supérieure de la première région de longueur d'onde diffère de la valeur limite supérieure de la seconde région de longueur d'onde, et/ou la valeur limite inférieure de la première région de longueur d'onde diffère de la valeur limite inférieure de la seconde région de longueur d'onde.

    光電変換装置(112)が、入射した光の光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換素子(240)と、光電変換素子(240)の受光面(242)に接して配される第1波長変換層(234)と、第1波長変換層(234)の光電変換素子(240)と接する面の反対側の面の側に配される第2波長変換層(232)とを備える。第1波長変換層(234)は、第1波長領域の光の波長を変換する第1波長変換材料(274)を含む。第2波長変換層(232)は、第2波長領域の光の波長を変換する第2波長変換材料(272)を含む。第1波長領域の上限値は第2波長領域の上限値と異なる、及び/又は、第1波長領域の下限値は第2波長領域の下限値と異なる。


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    Titel :

    PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND FLYING OBJECT


    Weitere Titelangaben:

    DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET OBJET VOLANT
    光電変換装置及び飛行体


    Beteiligte:
    UEDA MARIKA (Autor:in) / KIYAMA SEIICHI (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    02.05.2024


    Medientyp :

    Patent


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Japanisch


    Klassifikation :

    IPC:    H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / B64U




    Analog-to-digital conversion device, photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, and movable object

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