Vorgeschlagen wird ein Leistungselektronikmodul, aufweisend eine Leiterplatte mit auf Verbindungsbereichen einer obersten Lage davon angeordneten Leistungshalbleitern, wobei die Leiterplatte eine vorgegebene Dimension aufweist, um eine vorgegebene maximale Anzahl an Leistungshalbleitern darauf anzuordnen. Ferner ist ein oberhalb der Leistungshalbleiter angeordnetes Lead-Frame zur dreidimensionalen Leistungs- und Steuerungsführung vorgesehen, wobei das Lead-Frame folgende Teile aufweist: eine Drain-Source Verbindung, die mit einem Drain-Source-Kontakt der Leiterplatte elektrisch kontaktierbar ist, und eine der Drain-Source Verbindung über die Leistungshalbleiter gegenüberliegende Last-Source Verbindung, die aus mehreren Teilbereichen gebildet ist, von denen jeder elektrisch mit einem der Leistungshalbleiter kontaktierbar ist, sowie jeweils einen Gate- und Kelvin-Source-Anschluss, die oberhalb der Last-Source Verbindung angeordnet und mit den Leistungshalbleitern elektrisch kontaktiert sind. Im Falle, dass auf der Leiterplatte eine Anzahl an Leistungshalbleitern anzuordnen ist, die nicht der maximalen Anzahl entspricht, ist auf jedem der nicht von den Leistungshalbleitern belegten Verbindungsbereiche der obersten Lage ein Dummy-Chip aus elektrisch nicht leitfähigem Material angeordnet.

    A power electronics module, having a PCB having power semiconductors arranged on connecting regions of an uppermost layer of said PCB, wherein the PCB has a preset dimension to arrange a preset maximum number of power semiconductors thereon. A lead frame arranged above the power semiconductors provides three-dimensional power and control routing, and includes a drain-source connection to connect to a drain-source contact of the PCB, and a load-source connection opposite the drain-source connection via the power semiconductors that is formed from a plurality of subregions, each of which can be brought into electrical contact with the power semiconductors, and a gate- and kelvin-source terminal, which are arranged above the load-source connection and have been brought into electrical contact with the power semiconductors. At least one dummy chip consisting of an electrically nonconductive material is arranged on each of the connecting regions that are not populated by power semiconductors.


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    Titel :

    Leistungselektronikmodul


    Beteiligte:
    EWALD AKE (Autor:in) / HAIN STEFAN (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    03.08.2023


    Medientyp :

    Patent


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Deutsch


    Klassifikation :

    IPC:    H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / B60L PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES , Antrieb von elektrisch angetriebenen Fahrzeugen / H02M APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS , Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen



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