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    Titel :

    Formation of pn-junction with stable n-doping in graphene field effect transistors using e-beam irradiation


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Optical materials ; 69 ; 254-258


    Erscheinungsdatum :

    2017-01-01


    Format / Umfang :

    5 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    535



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