Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Study on impact ionization in charge layer of InP/InGaAs SAGCM avalanche photodiodes


    Beteiligte:
    Zhang, S. (Autor:in) / Zhao, Y. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2015-01-01


    Format / Umfang :

    8 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Numerical Simulation of Avalanche Breakdown within InP-InGaAs SAGCM Standoff Avalanche Photodiodes

    Haralson, J. N. / Parks, J. W. / Brennan, K. F. et al. | British Library Online Contents | 1997


    Resonant-Cavity InGaAs/InAlAs Separate Absorption, Charge and Multiplication Avalanche Photodiodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998




    Optimization of double diffused floating guarding ring InGaAs/InP avalanche photodiodes

    Jian Wei, / Dries, J.C. / Hongsheng Wang, et al. | IEEE | 2001