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    Titel :

    Dependence of dark current on carrier lifetime for InGaAs/InP avalanche photodiodes


    Beteiligte:
    Zeng, Q. Y. (Autor:in) / Wang, W. J. (Autor:in) / Wen, J. (Autor:in) / Xu, P. X. (Autor:in) / Hu, W. D. (Autor:in) / Li, Q. (Autor:in) / Li, N. (Autor:in) / Lu, W. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2015-01-01


    Format / Umfang :

    7 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Low dark current 4H-SiC avalanche photodiodes

    Guo, X. / Beck, A. / Yang, B. et al. | IEEE | 2003


    Low Dark Current 4H-SiC Avalanche Photodiodes

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003


    Dark-current characteristics of GaN-based UV avalanche photodiodes

    Xu, Jintong / Chang, Chao / Li, Xiangyang | SPIE | 2015


    Numerical Simulation of Avalanche Breakdown within InP-InGaAs SAGCM Standoff Avalanche Photodiodes

    Haralson, J. N. / Parks, J. W. / Brennan, K. F. et al. | British Library Online Contents | 1997