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    Titel :

    Charge sensitivity simulation on a double barrier GaAs/InGaAs/InAs quantum dot-in-well hybrid structure photodetector


    Beteiligte:
    Wang, W. W. (Autor:in) / Wang, M. J. (Autor:in) / Jin, X. B. (Autor:in) / Guo, F. M. (Autor:in) / Li, Y. Q. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2015-01-01


    Format / Umfang :

    7 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Observation of Quantum Confined Stark Effect in Triple-Coupled InGaAs/GaAs AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector

    Li, S. S. / Chiang, J. C. / Singh, A. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997



    A Normal Incidence Two-Color P-Type Compressive Strained-Layer InGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetector

    Wang, Y. H. / Chu, J. / Li, S. S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995


    Formation of InGaAs/GaAs quantum-well dots by using self-assembled InAs quantum dots as stressors

    Xiaodong Mu, / Yujie J. Ding, / Zhiming Wang, et al. | IEEE | 2003


    InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers

    Dutta, Niloy K. | SPIE | 1993