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    Titel :

    Normal Incidence InAs/ InGaAs Quantum Dots-in-a-Well Photodetector Spanning the 8-12 mum Atmospheric Window


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 16th, IEEE Lasers & Electro-optics Society; LEOS 2003 ; 2003 ; Tucson, AZ



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat. no. 03CH37460




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Normal Incidence P-Type InGaAs/InGaAlAs Strained Quantum Well Infrared Photodetector

    Lee, C. / Zhou, W. / Choi, K. K. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995


    A Normal Incidence Two-Color P-Type Compressive Strained-Layer InGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetector

    Wang, Y. H. / Chu, J. / Li, S. S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995


    Normal Incidence N-Type Direct Gap Quantum Well Infrared Photodetector

    Tidrow, M. Z. / Jiang, X. / Chiang, J. C. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997


    Formation of InGaAs/GaAs quantum-well dots by using self-assembled InAs quantum dots as stressors

    Xiaodong Mu, / Yujie J. Ding, / Zhiming Wang, et al. | IEEE | 2003