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    Titel :

    Lateral carrier confinement and threshold current reduction in InGaN QW lasers with deeply etched mesa


    Beteiligte:
    Satter, M. M. (Autor:in) / Yoder, P. D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS ; 42 , 11-13 ; 747-754


    Erscheinungsdatum :

    2011-01-01


    Format / Umfang :

    8 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    InP-based Quantum Cascade Distributed Feedback Lasers with Deeply Etched Lateral Gratings

    Kennedy, K. / Revin, D.G. / Krysa, A.B. et al. | IEEE | 2006





    Loss reduction of deeply etched InP/InGaAsP waveguides by CBE regrowth

    Vreeburg, C. G. M. / Oei, Y. S. / Scholtes, T. L. M. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996