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    Titel :

    Physical Analysis of a Possibility to Reach the 1.30-μm Emission from the GaAs-Based VCSELs with the InGaAs/GaAs Quantum-Well Active Regions and the Intentionally Detuned Optical Cavities


    Beteiligte:
    Sarzała, R. P. (Autor:in) / Nakwaski, W. o. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2006


    Format / Umfang :

    13 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5




    GaAs-based bipolar cascade InAs/InGaAs quantum dot VCSELs emitting near 1300 nm

    Lott, J.A. / Stintz, A. / Kovsh, A.R. et al. | IEEE | 2005


    GaAs-Based Bipolar Cascade InAs/InGaAs Quantum Dot VCSELs Emitting Near 1300 nm

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005


    Oxide-confined VCSELs with quantum well and quantum dot active regions

    Deppe, D.G. / Huffaker, D.L. / Deng, Q. et al. | IEEE | 1997


    Oxide-Confined VCSELs with Quantum Well and Quantum Dot Active Regions

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997