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    Titel :

    MOVPE Growth and Fabrication of 1.3mm High Power InGaAsP-InP Polarization-Insensitive Superluminescent Diodes with Complex Strained Quantum Wells


    Beteiligte:
    Ma, H. (Autor:in) / Chen, S. (Autor:in) / Yi, X. (Autor:in) / Zhu, G. (Autor:in) / Jin, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    8 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Strained InGaAs quantum-well superluminescent diodes

    Dzurko, Kenneth M. / Moore, Alan H. | SPIE | 1992


    Extremely broadband superluminescent diodes/semiconductor laser amplifiers using nonidentical InGaAsP quantum wells [4292-23]

    Wu, B.-R. / Lin, C.-F. / Laih, L.-W. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    InAlGaAs/GaAs Strained-Layer Superluminescent Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Polarization-Insensitive Optical Amplifiers Using Tensile-Strained Quantum Wells

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993