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    Titel :

    Ultrafast characterization of in-plane-gate field-effect transistors: parasitics in laterally gated transistors


    Beteiligte:
    Ogawa, K. (Autor:in) / Allam, J. (Autor:in) / De B. Baynes, N. (Autor:in) / Cleaver, J. R. A. (Autor:in) / Mishima, T. (Autor:in) / Ohbu, I. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    12 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5