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    Titel :

    Carrier transport and its effect on the turn-on delay time in strained GaInAsP/InP multiple quantum well lasers


    Beteiligte:
    Fukushima, T. (Autor:in) / Namegaya, T. (Autor:in) / Ikegami, Y. (Autor:in) / Nakayama, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1994-01-01


    Format / Umfang :

    S843



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Low Threshold 1.3um-GaInAsP/InP Tensile-Strained Quantum Well Lasers with Buried Heterostructure

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995


    High Reliability, High Performance 1300nm, 1480nm GaInAsP/InP GRIN-SCH Strained-Layer Quantum Well Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    980nm Laser Diodes using Strained-Layer GaInAsP Quantum-Wells

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    Physics of Strained Quantum Well Lasers

    Loehr | Online Contents | 1998


    InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers

    Dutta, Niloy K. | SPIE | 1993