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    Titel :

    Influence of the Cap Layer Thickness on Photoluminescence Properties in Strained InGaAs/GaAs Single Quantum Wells


    Beteiligte:
    Shen, W. Z. (Autor:in) / Tang, W. G. (Autor:in) / Shen, S. C. (Autor:in) / Wang, S. M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1994-01-01


    Format / Umfang :

    1643 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    621.3612



    InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers

    Dutta, Niloy K. | SPIE | 1993


    Piezoelectric Effect in InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown on (111)A GaAs Observed by Photoluminescence Spectroscopy

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    High Performance Strained-Layer InGaAs Quantum Well Lasers Grown on (311)A GaAs Substrates

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994