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    Titel :

    Growth of Si~1~-~xGe~x heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy


    Beteiligte:
    Ohtani, N. (Autor:in) / Mokler, S. M. (Autor:in) / Xie, M. H. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1994-01-01


    Format / Umfang :

    193 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    621.381045



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