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    Titel :

    High Current (>1000A), High Temperature (>200^oC) Silicon Carbide Trench MOSFET (TMOS) Power Modules for High Performance Systems


    Beteiligte:
    McPherson, B.R. (Autor:in) / Shaw, R. (Autor:in) / Hornberger, J. (Autor:in) / Lostetter, A. (Autor:in) / Schupbach, R. (Autor:in) / Reese, B. (Autor:in) / McNutt, T. (Autor:in) / Otsuka, T. (Autor:in) / Nakano, Y. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in)

    Kongress:

    Conference, Power systems ; 2012 ; Phoenix, AZ



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2012


    Format / Umfang :

    2209 pages


    Anmerkungen:

    SAE 2012-01-2155 - 2012-01-2242 held with gaps



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    High Current (>1000A), High Temperature (>200°C) Silicon Carbide Trench MOSFET (TMOS) Power Modules for High Performance Systems

    Lostetter, Alex / Reese, Brad / McPherson, Brice R. et al. | SAE Technical Papers | 2012


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