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    Titel :

    The Study of Femto-Second Laser Induced Damage Threshold on Semi-Insulating GaAs Wafer


    Beteiligte:
    Li, C.Y. (Autor:in) / Wang, Y.G. (Autor:in) / Chua, S.-J.

    Kongress:

    SYMPOSIUM D, Semiconductor photonics: nano-structured materials and devices ; 2007 ; Singapore



    Erscheinungsdatum :

    2008-01-01


    Format / Umfang :

    3 pages


    Anmerkungen:

    Includes bibliographical references and index; Held as part of the International conference on materials for advanced technologies (ICMAT) 2007




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    GaAs Semi-Insulating Layer for a GaAs Device

    Sherrill, G. / Mattauch, R. J. | NTRS | 1986


    Sub-femto-watt/femto-second Ac Balanced Homodyne Detection For Observation Of Rabi-oscillation

    Shudong Jiang, / Machida, S. / Takiguchi, Y. et al. | IEEE | 1997


    GaAs/AlGaAs Buried -Heterostructure Laser Diodes with Semi-Insulating GaInP:Fe Regrowth

    Barrios, C. A. / Lourdudoss, S. / Messmer, E. R. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    GaAs/AlGaAs buried-heterostructure laser diodes with semi-insulating GaInP:Fe regrowth

    Angulo Barrios, C. / Lourdudoss, S. / Messmer, L.R. et al. | IEEE | 2001