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    Titel :

    Raman Scattering from GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy


    Beteiligte:
    Begum, N. (Autor:in) / Bhatti, A.S. (Autor:in) / Piccin, M. (Autor:in) / Bais, G. (Autor:in) / Jabeen, F. (Autor:in) / Rubini, S. (Autor:in) / Martelli, F. (Autor:in) / Franciosi, A. (Autor:in) / Chua, S.-J.

    Kongress:

    SYMPOSIUM D, Semiconductor photonics: nano-structured materials and devices ; 2007 ; Singapore



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2008


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    Includes bibliographical references and index; Held as part of the International conference on materials for advanced technologies (ICMAT) 2007




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Infrared photoluminescence of InAs/GaAs epilayers grown by molecular beam epitaxy [4454-36]

    Kim, G. H. / Lee, J. / You, H. Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001





    Characteristics of InGaAs/GaAs/GaInP Quantum Well Lasers Grown by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy

    Zhang, G. / Ovtchinnikov, A. / Naeppi, J. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992