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    Titel :

    Total Dose Radiation Effects in Si Nanocrystal Non-Volatile Memory Transistors


    Beteiligte:

    Kongress:

    Symposium NN, Materials for space applications ; 2004 ; Boston , MA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    6 pages


    Anmerkungen:

    Held as part of the Materials Research Society Fall meeting.



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Total ionizing dose effects and reliability of graphene-based non-volatile memory devices

    Zhang, Cher Xuan / Zhang, En Xia / Fleetwood, Daniel M. et al. | IEEE | 2013


    High total dose gamma radiation assessment of commercially available SiGe heterojunction bipolar transistors (Invited Paper) [5897-12]

    Van Uffelen, M. / Geboers, S. / Leroux, P. et al. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Results of radiation effects on a chalcogenide non-volatile memory array

    Maimon, J. / Hunt, K. / Rodgers, J. et al. | IEEE | 2004



    Circuit demonstration of radiation hardened chalcogenide non-volatile memory

    Maimon, J. / Hunt, K. / Rodgers, J. et al. | IEEE | 2003