Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Influence of Growth Temperature on Defect Density in 1.3mum GaInNAs-based Lasers



    Kongress:

    19th, International Semiconductor Laser Conference ; 2004 ; Matsue-she, Japan



    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    OMVPE Grown 1.3mum GaInNAs Quantum Well Lasers

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002




    A Comparison of the Thermal Stability of InGaAsP, AlGaInAs and GaInNAs Quantum-Well Lasers for 1.3mum Operation

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002


    Influence of growth temperature on defect density in 1.3/spl mu/m GaInNAs-based lasers

    Fehse, R. / Sweeney, S.J. / Adams, A.R. et al. | IEEE | 2004