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    Titel :

    Characterisation of Ti:Sapphire Layers Synthesised by High Energy Ion Implantation


    Beteiligte:

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Characterisation of Ti:sapphire layers synthesized energy ion implantation

    McCallum, J.C. / Morpeth, L.D. / Norman, M.J. | IEEE | 2002


    Scaleable high-energy femtosecond Ti:sapphire oscillator

    Apolonski, A. / Fernandez, A. / Fuji, T. et al. | IEEE | 2004


    Buried planar and channel waveguides in sapphire and Ti:sapphire by proton implantation

    Laversenne, L. / Hoffmann, P. / Pollnau, M. et al. | IEEE | 2004


    Multiterawatt Ti:Sapphire femtosecond laser

    Kalachnikov, M.P. / Sommerer, G. / Nickles, P.V. et al. | IEEE | 1997


    Pulse energy limits of the femtosecond Ti:sapphire oscillators

    Naumov, S. / Fernandez, A. / Krausz, F. et al. | IEEE | 2005