Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    High Breakdown InGaP/InGaAs Tunneling Real Space Transfer HEMT


    Beteiligte:

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    High breakdown InGaP/InGaAs tunneling real space transfer HEMT

    Yen-Wei Chen, / Wei-Chou Hsu, | IEEE | 2002



    High Power, Efficient Al-Free InGaAs/InGaP/GaAs Diode Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Strain-compensated InGaAs/GaAsP/InGaP laser (Invited Paper) [3004-05]

    Dutta, N. K. / Hobson, W. S. / Vakhshoori, D. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997


    An InGaP/InGaAs/GaAs Double Channel Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (DC-PHEMT)

    Chuang, H. M. / Lin, K. W. / Chen, C. Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002