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    Titel :

    ThX2 Influence of Cap Layer on Interdiffusion in InP/InGaAs Quantum Wells


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting, IEEE Lasers & Electro-optics Society ; 2002 ; Glasgow



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat. no. 02CH37369




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Influence of cap layer on interdiffusion in InP/InGaAs quantum wells

    Carmody, C. / Tan, H.H. / Jagadish, C. | IEEE | 2002


    Interdiffusion in InGaAs Quantum Dots by Ion Implantation

    Lever, P. / Tan, H. H. / Reece, P. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002


    Interdiffusion in InGaAs quantum dots by ion implantation

    Lever, P. / Tan, H.H. / Reece, P. et al. | IEEE | 2002


    Interdiffusion effect on the gain of InGaAs/InP quantum well laser [2886-509]

    Chan, M. C. Y. / Chan, K. S. / Li, E. H. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    Influence of the Cap Layer Thickness on Photoluminescence Properties in Strained InGaAs/GaAs Single Quantum Wells

    Shen, W. Z. / Tang, W. G. / Shen, S. C. et al. | British Library Online Contents | 1994