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    Titel :

    Infrared photoluminescence of InAs/GaAs epilayers grown by molecular beam epitaxy [4454-36]



    Kongress:

    Conference, Materials for infrared detectors ; 2001 ; San Diego, CA



    Erscheinungsdatum :

    2001-01-01


    Format / Umfang :

    7 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Advances in HgCdTe-based infrared detector materials: the role of molecular-beam epitaxy (Invited Paper) [4454-08]

    de Lyon, T. J. / Rajavel, R. D. / Roth, J. A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Nr. 4454

    DataCite | 1930


    Electrical activation and electrical properties of arsenic-doped Hg~1~-~xCd~xTe epilayers grown by MBE [4454-10]

    Selamet, Y. / Badano, G. / Grein, C. H. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    GaInAs/InP quantum well infrared photodetectors grown on Si substrates (Invited Paper) [4454-14]

    Razeghi, M. / Jiang, J. / Jelen, C. L. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001