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    Titel :

    Two-Component Photoluminescence Decay and Carrier Localization in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures


    Beteiligte:
    Feng, S.-W. (Autor:in) / Cheng, Y.-C. (Autor:in) / Yang, C. C. (Autor:in) / Tsai, C.-Y. (Autor:in) / Lin, Y.-S. (Autor:in) / Hsu, C. (Autor:in) / Ma, K.-J. (Autor:in) / Chyi, J.-I. (Autor:in) / InterOpto / IEEE

    Kongress:

    Pacific Rim conference; 4th, Lasers and electro-optics; CLEO/Pacific Rim 2001 ; 2001 ; Chiba, Japan



    Erscheinungsdatum :

    2001-01-01


    Format / Umfang :

    II-220-221


    Anmerkungen:

    Held with InterOpto2001. IEEE cat no 01TH8557



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch






    Femtosecond Carrier Dynamics in InGaN Multiple-Quantum-Well Laser Diodes under High Injection Levels

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    Phonon-replica transitions in InGaN/GaN quantum well structures

    Feng, S. W. / Tsai, C. Y. / Cheng, Y. C. et al. | British Library Online Contents | 2002