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    Titel :

    Carrier Lifetime of Low-Temperature Grown GaAs Measured by Pump-Probe Spectroscopy: Effect of Arsenic Pressure during MBE Crystal Grownth


    Beteiligte:
    Yano, R. (Autor:in) / Hirayama, Y. (Autor:in) / Miyashita, S. (Autor:in) / Sasabu, H. (Autor:in) / Nakano, H. (Autor:in) / Uesugi, N. (Autor:in) / Uehara, S. (Autor:in) / InterOpto / IEEE

    Kongress:

    Pacific Rim conference; 4th, Lasers and electro-optics; CLEO/Pacific Rim 2001 ; 2001 ; Chiba, Japan



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2001


    Format / Umfang :

    I-440-441


    Anmerkungen:

    Held with InterOpto2001. IEEE cat no 01TH8557



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    High-Carrier-Density Pump-Probe Measurements of Low-Temperature Grown GaAs

    Sosnowski, T. S. / Norris, T. B. / Wang, H. H. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997


    Ultrafast carrier lifetime in low-temperature grown GaAs, InP and InGaP

    Kostoulas, Y. / Ucer, K.B. / Waxer, L. et al. | IEEE | 1994


    Ultrafast Carrier Lifetime in Low-Temperature Grown GaAs, InP and InGaP

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994