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    Titel :

    Low threshold 630nm band AlGaInP diode laser with AlAs native oxide current aperture


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 12th, IEEE; Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '99 ; 1999 ; San Francisco, CA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1999


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 99CH37009




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    High Performance AlAs Native Oxide-Confined GaInP/AlGaInP 635nm Laser Diode

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998


    High performance AlAs native oxide-confined GaInP/AlGaInP 635 nm laser diode

    Hak-Hwan Kim / Dong-Ch'eol Oh / Sun-Lyeong Hwang et al. | IEEE | 1998


    Growth and Characterization of AlGaInP Diode Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Compressively Strained GaInP/AlGaInP Metal Clad Structure for 650nm Laser Diode

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995