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    Titel :

    High-Power, Reliable, 730nm-Emitting InGaAsP-Active Region Diode Lasers



    Kongress:

    Annual meeting; 11th, IEEE: Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '98 ; 1998 ; Orlando; FL



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no: 98CH36243




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    High-power, reliable, 730 nm-emitting InGaAsP-active region diode lasers

    Al-Muhanna, A. / Wade, J.K. / Earles, T. et al. | IEEE | 1998


    780nm-emitting Al-free Active Region Diode Lasers with Compressively-Strained InGaAsP Quantum Wells

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997



    High CW output power InGaAs/InGaAsP/InGaP diode lasers: effect of substrate misorientation

    Mawst, L.J. / Bhattacharya, A. / Nesnidal, M. et al. | IEEE | 1995


    High CW Output Power InGaAs/InGaAsP/InGaP Diode Lasers: Effect of Substrate Misorientation

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995